Name: Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB
Brand: SOCAY
SKU: P0640SB
Rating: 4.8 (114 reviews)

Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату

Характеристики

Ключевые слова: ДИОДЫ

Пакет: DO-214AA/SMB

Применение: защитная плата;

Тип установки: Количество площадей

ВДРМ (мин.): 58V

IDRM: 5μA

Vs @100V/μS (максимум): 77V

Это (макс.): 800mA

Vt @It=2.2A (максимум): 4V

Это (макс.): 2.2А

C0 @1MHz,2V Bias (Тип.): 60pF

Выделить:

Тиристорные подавляющие давление TSS

Снижающие мощность тиристоры

P0640SB

Основная информация

Место происхождения: Шэньчжэнь, Гуандун, Китай

Фирменное наименование: SOCAY

Сертификация: REACH,RoHS,ISO

Номер модели: P0640SB

Документ: Брошюра продукта PDF

Оплата и доставка Условия

Упаковывая детали: ленточный катушек, оптом

Время доставки: 1-3 недели

Галерея

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Характер продукции

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

DATASHEET: DATASHEET: DATASHEET: DATASHEET: DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASPXXX0SB_v2103.1.pdf

Номер части	Маркировка	V_DRM@I_DRM=5μA	VS ① @100В/μS	V_T @I_T=2,2A	Я..._S	Я..._T	Я..._H	C0 2 @ 1 МГц, 2 В предубеждение
		Vминуты	Vмаксимум	Vмаксимум	mAмаксимум	А.максимум	mAминуты	pF тип
P0080SB	P008B	6	25	4	800	2.2	50	80
P0300SB	P03B	25	40	4	800	2.2	50	80
P0640SB	P06B	58	77	4	800	2.2	150	80
P0720SB	P07B	65	88	4	800	2.2	150	75
P0900SB	P09B	75	98	4	800	2.2	150	70
P1100SB	P11B	90	130	4	800	2.2	150	70
P1300SB	P13B	120	160	4	800	2.2	150	65
P1500SB	P15B	140	180	4	800	2.2	150	65
P1800SB	P18B	170	220	4	800	2.2	150	65
P2300SB	P23B	190	260	4	800	2.2	150	60
P2600SB	P26B	220	300	4	800	2.2	150	60
P3100SB	P31B	275	350	4	800	2.2	150	50
P3500SB	P35B	320	400	4	800	2.2	150	50
P4200SB	P42B	400	520	4	800	2.2	150	40
Примечания: 1 В измеряется при 100 КВ/с. 2 Капацитанция в состоянии отключения измеряется в V_DC=2V, V_RMS=1В, f=1МГц.

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB 0

Введение:

ТСС характеризуются точной проводимостью, быстрой реакцией, высокой способностью поглощения волн, двуосевой симметрией и высокой надежностью.

Рабочий принцип

При параллельном подключении к цепи и неподвижности устройства значение сопротивления высокое и может рассматриваться как открытая цепь с незначительным или отсутствующим воздействием на цепь.Если есть аномальный пульсКогда аномальное высокое напряжение исчезает, оно возвращается в состояние высокого сопротивления и схема работает нормально.

Параметр	Определение
Я..._S	Переключающий ток- максимальный ток, необходимый для перехода на состояние включения
Я..._DRM	Ток утечки- максимальный пиковый отключенный ток, измеренный в V_DRM
Я..._H	Сохранный ток- минимальный ток, необходимый для поддержания состояния
Я..._T	Ток в режиме включения- максимальный номинальный непрерывный ток в состоянии включения
V_S	Напряжение переключения- максимальное напряжение перед переключением на
V_DRM	Пиковое напряжение вне состояния- максимальное напряжение, которое может быть применено при сохранении отключенного состояния
V_T	Напряжение в режиме включения- максимальное напряжение, измеренное при номинальном текущем состоянии
В₀	Капацитет вне состояния- типичная емкость, измеренная в состоянии отключения

Серия	2/10μS¹	8/20μS¹		10/160μS¹	10/560μS¹	10/1000μS¹	5/310μS¹	Я..._ТСМ 50/60 Гц	di/dt
	2/10μS²	1.2/50μS²		10/160μS²	10/560μS²	10/1000μS²	10/700μS²
	Минуту.	Минуту.		Минуту.	Минуту.	Минуту.	А.минуты	Минуту.	Ампер/μs максимум
В.	250	250		150	100	80	100	30	500
Примечания: Форма волны тока в μs Форма волны напряжения в μs			- Пиковый импульс номинального тока_PP) является повторяющимся и гарантированным на протяжении всего срока службы продукта. - Я..._PPноминалы, применимые в диапазоне температур от -40 до +85 °C - Устройство должно сначала находиться в тепловом равновесии при -40°C < T_J< + 150°C

Блокировка высокотемпературного напряжения	80% номинальный VDRM (пик VAC) +125°C или +150°C, свинцовый материал Сплав меди высокотемпературное напряжение блокирование 504 или 1008 ч. MIL-STD-750 (метод 1040) JEDEC, JESD22-A-101

Температурный цикл	-65°C до +150°C, 15 мин. остановки, 10 до 100 циклов.

Уклонение температуры и влажности	52 VDC (+85°C) 85% RH, 504 до 1008 ч. EIA/ JEDEC, JESD22-A-101
Хранение при высокой температуре	+150°C 1008 ч. MIL-STD-750 (метод 1031) JEDEC, JESD22-A-101
Хранение на низкой температуре	-65°C, 1008 часов.
Тепловой удар	0°C до +100°C, 5 мин. остановки, 10 сек. переноса, тепловой шок 10 циклов.
Автоклав (испытание на печь под давлением)	+121°C, 100% RH, 2 atm, 24 до 168 ч.
Устойчивость к нагреванию сварки	+260°C, 30 сек. MIL-STD-750 (метод 2031)
Уровень чувствительности к влаге	85% RH, +85°C, 168 часов, 3 цикла повторного потока Уровень (+260°C Пик).

Свинцовый материал	Сплав меди
Окончание терминала	100% матовый оловянный
Материал корпуса	UL признанный эпоксид, соответствующий классификации воспламеняемости 94V-0

Номер части	Пакет компонентов	Количество	Опаковка Вариант	Спецификация упаковки
Пxxx0SB	DO-214AA	2500	Лента и катушка - 12 мм/13′′ лента	ОВОС -481 - D

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB 1

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB 2

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB 3

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB 4

тег:

Контактное лицо :	Sun
Телефон :	+8618126201429
Факс :	86-755-88362681

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Тиристорные подавляющие давление TSS

Снижающие мощность тиристоры

P0640SB

Устройства для защиты от перенапряжения тиристоров

Полупроводниковый компонент

Защита от перенапряжения тиристора TSS

DO-214AA SMB Пакет Тиристорные подавляющие приливы TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V

SOCAY P0720SB 4KV Тиристорные устройства защиты от перенапряжения 150A 65V SMD тиристор

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

TSS VF 3V высоковольтное кольцо SLIC защитник TISP61089B SOCAY SOP-8L пакет

TSS Тиристорные подавляющие перенапряжения P0080TB Полупроводниковый компонент DO-214AC SMA

Защита от перенапряжения тиристора TSS DO-214AC P0720TB @10/700μs 3/4KV

Поверхностная установка тиристорные подавляющие приливы TSS P0080SA 2KV низкое напряжение перенапряжение

DO-214AA Устройства защиты от тиристора от перенапряжения 100A 275V SMD P3100SB 4KV