Name: 350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В
Brand: SOCAY
SKU: BZT52C27
Rating: 5 (109 reviews)

Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату

Характеристики

Наименование продукта: Стабилитрон

Тип упаковки диодов Зенера: SOD-123

Диод Зенера рассеивает энергию: 350mW

Напряжение Зенера (Nom.): 27V

Напряжение Зенера (мин.): 25.65В

Напряжение Зенера (макс.): 28.35В

ZZK: 300Ω

IZK: 0.5mA

Выделить:

Электронный компонент 27V

Электронный компонент 350 мВт

Компонент диода Zener 27V

Основная информация

Место происхождения: Шэньчжэнь, Гуандун, Китай

Фирменное наименование: SOCAY

Сертификация: REACH,RoHS,ISO

Номер модели: BZT52C27

Документ: Брошюра продукта PDF

Оплата и доставка Условия

Галерея

350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В

Характер продукции

SOCAY 27V 350mW BZT52C27 SOD-123 Пакет SMD Зенер диод

Диод Зенера DATASHEET:BZT52C2V4_BZT52C75(SOD-123)_v2204.1.pdf

Характеристики диодов Зенера:

Плоская конструкция
350 мВт рассеивание мощности
Напряжение Zener от 2,4 до 75 В
Идеально подходит для автоматизированных сборочных процессов
Без свинца в соответствии с требованиями RoHS ЕС 2.0
Соединение для зеленой формовки согласно стандарту IEC 61249

- Что?

Механическая дата диода Зенера:

Дело: SOD-123, формованный пластик
Терминалы: поддаются сварке согласно MIL-STD-750, метод 2026
Полярность: см. диаграмму ниже
Вес: 0,0004 унции, 0,01 грамма

Максимальные номиналы диодов Зенера (T)_А.=25°C, если не указано иное):

Параметр диода Зенера	Символ	Стоимость	Объекты
Рассеивание мощности диодов Зенера (Примечание 1)	ПД	350	мВт
Тепловое сопротивление от соединения к окружающей среде	RθJA	357	°C/W
Температура соединения диодов Зенера	TJ	150	°C
Хранение диодов ЗенераТемпература	TSTG	-55 до +150	°C
Примечание1: Устройство, установленное на керамическом ПК: 7,6 мм х 9,4 мм х 0,87 мм с площадью 25 мм2.

Электрические характеристики диодов Зенера (TA=25°C):

Номер части	Диапазон напряжения Зенера (примечание 2)			Максимальная импеданс Зенера (примечание 3)				Максимальная Ток утечки (примечание 2)
	VZ @ IZT			ZZT @ IZT		ZZK @ IZK		IR @ VR
	Nom. ((V)	Min. ((V)	Макс. ((V)	(Ω)	(mA)	(Ω)	(mA)	(μA)	(V)
BZT52C2V4	2.4	2.20	2.60	100	5.0	600	1.00	50	1.0
BZT52C2V7	2.7	2.50	2.90	100	5.0	600	1.00	20	1.0
BZT52C3V0	3.0	2.80	3.20	95	5.0	600	1.00	10	1.0
BZT52C3V3	3.3	3.10	3.50	95	5.0	600	1.00	5	1.0
BZT52C3V6	3.6	3.40	3.80	90	5.0	600	1.00	5	1.0
BZT52C3V9	3.9	3.70	4.10	90	5.0	600	1.00	3	1.0
BZT52C4V3	4.3	4.00	4.60	90	5.0	600	1.00	3	1.0
BZT52C4V7	4.7	4.40	5.00	80	5.0	500	1.00	3	2.0
BZT52C5V1	5.1	4.80	5.40	60	5.0	480	1.00	2	2.0
BZT52C5V6	5.6	5.20	6.00	40	5.0	400	1.00	1	2.0
BZT52C6V2	6.2	5.80	6.60	10	5.0	150	1.00	3	4.0
BZT52C6V8	6.8	6.40	7.20	15	5.0	80	1.00	2	4.0
BZT52C7V5	7.5	7.00	7.90	15	5.0	80	1.00	1	5.0
BZT52C8V2	8.2	7.70	8.70	15	5.0	80	1.00	0.7	5.0
BZT52C9V1	9.1	8.60	9.60	15	5.0	100	1.00	0.5	6.0
BZT52C10	10	9.40	10.60	20	5.0	150	1.00	0.2	7.0
BZT52C11	11	10.40	11.60	20	5.0	150	1.00	0.1	8.0
BZT52C12	12	11.40	12.70	25	5.0	150	1.00	0.1	8.0
BZT52C13	13	12.40	14.10	30	5.0	170	1.00	0.1	8.0
BZT52C15	15	13.80	15.60	30	5.0	200	1.00	0.1	10.5
BZT52C16	16	15.30	17.10	40	5.0	200	1.00	0.1	11.2
BZT52C18	18	16.80	19.10	45	5.0	225	1.00	0.1	12.6
BZT52C20	20	18.80	21.20	55	5.0	225	1.00	0.1	14.0
BZT52C22	22	20.80	23.30	55	5.0	250	1.00	0.1	15.4
BZT52C24	24	22.80	25.60	70	5.0	250	1.00	0.1	16.8
BZT52C27	27	25.10	28.90	80	2.0	300	0.50	0.1	18.9

BZT52C30	30	28.00	32.00	80	2.0	300	0.50	0.1	21.0
BZT52C33	33	31.00	35.00	80	2.0	325	0.50	0.1	23.1
BZT52C36	36	34.00	38.00	90	2.0	350	0.50	0.1	25.2
BZT52C39	39	37.00	41.00	130	2.0	350	0.50	0.1	27.3
BZT52C43	43	40.00	46.00	100	5.0	700	1.00	0.1	32.0
BZT52C47	47	44.00	50.00	100	2.0	750	1.00	0.1	35.0
BZT52C51	51	48.00	54.00	100	2.0	750	1.00	0.1	38.0
BZT52C56	56	53.20	58.80	200	2.0	400	0.50	0.1	39.2
BZT52C62	62	58.90	65.10	215	2.0	423	0.50	0.1	43.4
BZT52C68	68	64.60	71.40	240	2.0	447	0.50	0.1	47.6
BZT52C75	75	71.25	78.75	255	2.0	470	0.50	0.1	52.5
Примечание 2: короткий импульс испытания, используемый для минимизации эффекта самонагрева. Примечание 3: f=1kHZ.

Диаграмма схемы диода Зенера SOD-123:

350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В 0

Диод Зенера и кривые характеристик:

Фиг.1.Кривая снижения мощности

Рисунок 2. Типичная пропускная способность перехода

Фиг.3. Типичная разбивка Зенера

Фиг.4. Типичная разбивка Зенера

Фиг.5. Типичная разбивка Зенера

SOD-123Контур диода Зенера (Размеры в дюймах и миллиметрах):

350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В 6

SOD-123 Пакет Информация о заказе диодов Зенера:

Номер части диода Зенера	Пакет компонентов	Количество	Вариант упаковки
BZT52C2V4~BZT52C75	SOD-123	10000 шт.	на 13 "пластиковый катушка
BZT52C2V4~BZT52C75	SOD-123	3000 шт.	на 7 "пластиковый катушка

350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В 7

тег:

Контактное лицо :	Sun
Телефон :	+8618126201429
Факс :	86-755-88362681

350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В

Электронный компонент 27V

Электронный компонент 350 мВт

Компонент диода Zener 27V

Электронные блоки

Компоненты диодов

СМД диод Зеннер

SMA Пакет Силиконовый диод Зенера 1SMA4728A 1W 3.3V Допустимый ток Зенера 285mA

10В 200мВ диод Zener SMD BZT52C10S электронные компоненты

Плоскомерная конструкция диода Зенер BZT52C8V2 SOD-123 СМД-диод

BZX84C27 Компоненты электронных диодов BOM Сервис 27V Диод Зенер

1.0W 10В Силиконовый диод Зенер 1SMA4740A DO-214AC Пакет для поверхностного монтажа

300 мВт SMD диод Zener BZX84C9V1 SOT-23 Zener Диапазон напряжения 8,5 - 9,6 В

BZX584C27V SOD-523 Диод Зенера 200 мВт Электронные компоненты

350 мВт Электроника рассеивания мощности Компонент BZT52C27 Диод Зенер 27В